12月13日消息，據國外媒體報道，三星電子將向其位于中國的芯片工廠增加80億美元的投資，以提高NAND閃存芯片的產量。
此次投資正值內存芯片行業預計明年出現反彈之際，而今年該行業增長緩慢。這在很大程度上是由于供應不足以及市場對5G設備的需求增加。目前，世界各地都在測試5G網絡。
這80億美元的投資，是三星西安閃存芯片項目二期的第二階段投資。此前，在2017年，該公司宣布，計劃在3年內向其位于西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元，這筆投資是三星西安閃存芯片項目二期的第一階段投資。
該公司二期項目的總投資為150億美元，預計于2021年下半年竣工，建成后將新增產能每月13萬片，新增產值300億元。
自2014年以來，三星一直在其位于西安的工廠生產NAND芯片。從技術層面來說，NAND芯片可永久保存數據，是許多計算和存儲設備的一部分，可用于移動設備、存儲卡、USB閃存驅動器和固態硬盤。
此前，三星還向西安的一家檢測和包裝工廠投資了108億美元，這筆投資是三星西安閃存芯片項目的一期投資。
在NAND閃存領域，三星與包括韓國SK海力士（SK Hynix）、美光科技、西部數據、英特爾和東芝在內的競爭對手展開激烈競爭。（小狐貍）
01月07日 18:14
