碳原子呈六角形網狀鍵合的材料“石墨烯”具有很多出色的電特性、熱特性以及機械特性。具體來說，具有在室溫下也高達20萬cm2/Vs以上的載流子遷移率，以及遠遠超過銅的對大電流密度的耐性。為此，石墨烯有看用于高速晶體管、觸摸面板、太陽能電池用透明導電膜，以及本錢低于銅但與銅相比可通過大電流的電線等。

    另外，在目前可以制作的片狀材料中，石墨烯的厚度最薄、比表面積也較大。而且，還具有超過金剛石的強度、彈性模數和導熱率。假如沒有缺陷的話，即便是單層石墨烯，也不會通過大于氦（He）原子的物質。這些性質可以使石墨烯作為電池的電極材料、散熱膜、MEMS傳感器，或是理想的阻擋膜（Barrier Film）。

    與其他材料相比，石墨烯還擁有很多極為特殊的性質。例如，在室溫下也可呈現量子霍爾效應；可實現名為“Klein Tunneling”的、透射率為100％的通道效應；電阻值為固定值而與間隔無關的“彈道輸運”（Ballistic Transport）的有效間隔較長；按照由石墨烯上的自由電子來描述中微子的方程式（韋爾方程，Weyl Equation），石墨烯可以像質量為零的粒子一樣運動；而且，石墨烯具有被稱為“贗自旋（Pseudospin）”和“贗磁場”的、宛如存在電子自旋和磁場的特性；石墨烯還擁有負折射率，等等。這些特性可以使石墨烯用于超高精度的氣體傳感器和應變傳感器等。

    本系列將先容在實際應用中利用石墨烯的各種出色性質或特殊性質的先端技術。

    “觸摸面板”最快于2012年面世

    相當于一層石墨的材料——石墨烯的研究開發在全球范圍內正熱火朝天地展開。僅2010年發表的相關研究論文就超過了3000篇。其中中國科學院和新加坡國立大學(the National University of Singapore，NUS)在論文數目方面遠遠領先于其他研究機構。而理應在新材料開發上占有一定上風的日本研究機構卻處于苦戰之中。

    在應用方面引領全球的國家是韓國。其中韓國三星電子已經發表了多項應用石墨烯的觸摸面板和高速晶體管等研究成果。

    三星目前在產品化的競爭方面也處于領先地位。因石墨烯獲得2010年諾貝爾物理學獎的研究職員康斯坦丁·諾沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）和安德烈·海姆（Andre Geim）曾在諾貝爾獲獎演講“Nobel Lecture”等上表示三星已經制定利用石墨烯的產品群開發藍圖。開發藍圖中的第一個研發目標就是把石墨烯用做透明導電膜的觸摸面板。另外三星還計劃于2012年推出配備有該石墨烯制觸摸面板的便攜終端。

    三星曾于2010年6月公布與韓國成均館大學（Sungkyunkwan University）共同制作出了30英寸（對角線約76cm）的石墨烯片。這一消息令全球震動。這是由于實現數十cm對角線大小的石墨烯片一直是人們的夢想。此前制出的最大石墨烯片最大僅能達到對角線為數mm～1cm（韓國曾實現了數cm對角線大小）。

    相當于10平方公里大小的食品保鮮膜

    這個巨大石墨烯片的制作方法在某種意義上類似于諾沃肖洛夫所采用的使用粘著膠帶的“機械式剝離法”。機械式剝離法是先把粘著膠帶（最初使用了Scotch膠帶，后來使用的是日本的日東膠帶）貼在石墨上，然后通過揭下膠帶把石墨烯轉印到膠帶上。成均館大學等開發出的方法是采用卷對卷的方式把以CVD法制備于銅（Cu）箔上的石墨烯片轉印到大型樹脂片上。

    有很多研究職員和技術職員對這一方法持半信半疑態度。這是由于“假設石墨烯是厚度為10μm的食品用保鮮膜，采用這個方法就相當于要把10km見方的保險膜完好無損地粘貼下來”（某研究職員）。

    不過，假如我們不要求像晶體管一樣的質量的話，在觸摸面板用途中稍微的褶皺和破損可能并不會造成很大影響。或許可以說正是由于觸摸面板需要滿足的條件較低，才使得觸摸面板成為首個開發目標。

    當然，在將石墨烯用于觸摸面板用途方面還存在幾個課題。一是導電性的確保和摻雜（Doping）的穩定性。假如能夠制備出完全沒有缺陷的單層石墨烯片，那么光透過率將達到97％以上，幾乎呈透明狀態，同時還可實現高柔性觸摸面板。然而由于純凈石墨烯的載流子遷移率較高，但同時載流子密度卻非常小，因此由兩者乘積所決定的導電率未必較高。為了解決這一題目，需要摻進提供電子和孔洞的雜質，也就是說需要進行摻雜加工。

    成均館大學和三星等開發出的巨大石墨烯片由于最初的摻雜物（Dopant）隨著時間的流逝會逐漸消失等，因此導電率的不穩定成為課題。這一課題將在今后的研究開發中予以解決。

    日本產綜研等在制造方法開發方面奮起直追

    在用于觸摸面板的石墨烯開發方面，日本產業技術綜合研究所也正在試制A4尺寸大小的石墨烯片和觸摸面板。其最大優點在于與成均館大學的方法相比能夠在較低溫度下制備出石墨烯片，能夠采用卷對卷方式進行包括CVD在內的全部工序。誰將率先實現觸摸面板的投產？這一題目最快會在未來的1～2年內得到解答。

    2013年將實現以500GHz頻率工作的高速石墨烯晶體管和光學元件

    在通道層采用石墨烯的高速晶體管開發方面最積極的企業之一是美國IBM公司。該公司曾于2008年開發出了第一個石墨烯晶體管，并在2010年12月的國際學會“IEDM 2010”上發布了柵長240nm、截止頻率為230GHz的石墨烯FET等，在相關研發活動中一直位于領先地位。

    不過，最近有不少競爭對手正在奮起直追IBM。比如韓國三星尖端技術研究所（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）。SAIT在IEDM 2010上發布了截止頻率為202GHz（柵長為180nm），直逼IBM公司的石墨烯FET。另外，日本產業技術綜合研究所、富士通研究所、NTT物性科學基礎研究所和美國波音公司（Boing）與美國通用公司的共同研究機構美國休斯研究所（HRL Laboratories, LLC）等眾多研究機構和企業也都紛紛加進了開發競爭的行列。

    2年時間性能進步10倍

    實際上，目前最快的石墨烯晶體管既不是出自IBM公司、也不是出自三星公司，而是美國加州大學洛杉磯分校（University of California, Los Angeles，簡稱UCLA）制作的晶體管。UCLA曾于IEDM 2010之前的2010年9月在學術雜志《Nature》上發表了截止頻率為300GHz（柵長為144nm）的石墨烯FET。300GHz的截止頻率可以與采用GaAs和InP等化合物半導體的晶體管相匹敵。

    不過，UCLA的石墨烯FET所采用的元件構造和材料略顯獨特，例如柵電極材料采用以Al2O3涂覆的Co2Si納米線。

    無論是哪個公司進行開發，引人注目的是開發速度都非常快。比如，IBM公司柵長150nm、截止頻率為26GHz的石墨烯FET是在2008年12月的IEDM上發布的。從那時起還不到兩年時間，截止頻率就進步了10倍左右。假如繼續這樣發展下往，到2011年中期采用化合物半導體的晶體管的最快截止頻率可能會超過600GHz，到2011年12月，截止頻率可能會進步到1THz。

    以THz頻率工作的晶體管連接電和光

    各公司為何紛紛致力于利用石墨烯的高速晶體管開發呢？其原因之一在于假如開發出以THz頻率工作的晶體管，就能夠使迄今在技術方面有很大不同的電子和光子、也就是電和光的控制技術實現無縫連接。

    最近，NEC等開發出了通過名為太赫茲波的波長為0.1mm左右的電磁波制作圖像傳感器等的技術。固然在這種情況下電磁波頻率為3THz，但目前還未開發出能夠以該頻率工作的晶體管，因此大多應用于“光學方面”，正確地說就是紅外線收發技術方面。不過，由于作為受光元件使用的輻射熱丈量計(Bolometer)的響應時間長達10μs，因此不能應用于“太赫茲波通訊”用途。

    要充分利用太赫茲波所具有的潛力和信息量，就需要能像手機電子電路一樣在THz頻率下工作的光收發元件、控制電路和信號處理電路。反之，假如能夠實現這個條件，超過毫米波通訊的幾十G～幾百Gbit/秒的超高速通訊便成為可能。

    積極進行這一方面開發的研究機構之一是美國國防部高級研究計劃局（DARPA）。DARPA在名為“Carbon Electronics for RF Applications（CERA）”的項目中，提出了到2013年實現以500GHz頻率工作的石墨烯FET的實用化的目標。要使工作頻率達到500GHz，一般情況下截止頻率需要達到其3倍、也就是1.5THz，不過從迄今石墨烯FET呈現出的高速發展態勢來看，實現可能性非常大。

    應用于光學元件非常輕易？

    除高速晶體管外，石墨烯作為光學方面的技術也具有很大的應用遠景。具體來說，假如活性層材料采用石墨烯，包括紫外線、可見光、紅外線和太赫茲波在內帶寬非常大的波長的激光振蕩便越來越可能。固然此處主要探討的是作為光學方面技術的應用，不過也有研究職員斷言“固然在石墨烯晶體管用途方面還存在一些課題，但作為光學元件來說幾乎不存在什么課題”（日本東北大學電氣通訊研究所尾辻泰一教授）。

    在這一領域目前也有非常多的研究機構在積極推進開發。其中日本東北大學、英國劍橋大學和新加坡南洋理工大學(Nanyang Technological University)等目前在研發方面處于領先地位。

    除晶體管之外，假如發光元件等也能用石墨烯制作，材料本身就無需再使用高價化合物半導體，同時還可大幅降低整個元件的本錢。

    “太陽能電池”——石墨烯成為大幅進步轉換效率的王牌材料

    石墨烯被寄予厚看的應用實例之一是轉換效率非常高的新一代太陽能電池。展看其今后的應用領域，首先是透明導電膜領域，其次是中間電極等領域。

    不僅僅是代替ITO

    對于石墨烯制透明導電膜，觸摸面板陣營的期待比較高，不過太陽能電池廠商的期待可能更高。這是由于石墨烯不僅在代替ITO方面的性能或其柔性較高，而且只有石墨烯透明導電膜才能實現對于太陽能電池來說非常重要的特性。

    這個特性就是對于包括中遠紅外線在內的所有紅外線的高透明性。盡管紅外線占據了相當一部分的太陽輻射能量，但現有的大部分太陽能電池都無法把紅外線作為能量源來有效利用。這是由于除了有效的光電轉換本身不易實現之外，迄今多用于透明電極的ITO和FTO對紅外線的透射率實際上也比較低。

    假如只要對于紅外線確保透明性就足夠了的話，材料的開發并不困難。不過，這種材料大多在原理上會面臨導電率大幅降低的題目。

    其理由如下：在一般情況下要確保大范圍波長領域的透明性，載流子的密度越低越好。不過，由于導電率與載流子遷移率和載流子密度的乘積成比例，因此假如載流子遷移率不是很高，那么較小的載流子密度也就意味著導電率較小。其典型示例就是玻璃這種盡緣體。無論多透明，只要電流不能通過，就沒有任何意義。

    石墨烯幾乎是唯逐一種能夠避免這種題目的材料。其原因在于石墨烯具有非常高的載流子遷移率。因此，即使載流子密度非常小，也能確保一定的導電率。這種材料是非常罕見的。

    超高效太陽能電池的實現近在咫尺

    最近有些研究機構正在積極進行光電轉換層材料的開發，一些紅外線高效轉換技術也相繼面世。這樣一來，假如可以利用對紅外線透明度也較高的透明導電膜，那么就可期待實現遠遠超過現有太陽能電池的轉換效率。

    目前，在這些開發活動中處于領先地位的廠商之一是富士電機控股株式會社。該公司目前正在新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）的“革新性太陽能發電技術研究開發”項目中，積極開發采用石墨烯的太陽能電池用透明導電膜。
   
    不過，富士電機事實上已經放棄了迄今一直在研發的使用氧化石墨烯制作石墨烯片的工藝。同時作為替換方法導進了三星公司等也采用的熱CVD法。通過一系列自主改進得到的2層石墨烯片的“導電率將高達ITO的幾倍，并且能夠確保90％的光透射率等，已經達到能夠充分滿足性能指標的水平”（富士電機）。

    有待解決的課題是量產性題目。“我們希看再能降低CVD法的工藝溫度。同時需要確立該方法中所使用的銅的再利用工藝。另外，還需要確認與太陽能電池半導體層的相容性等”（富士電機）。

    作為電子和空穴兩者的傳輸材料

    石墨烯在太陽能電池用途方面被寄予厚看的不僅僅是與太陽有關的透明電極。插進半導體層之間的中間電極方面的應用目前也正在探討之中。

    石墨烯最能發揮威力的領域是有機薄膜太陽能電池領域。首次分離單層石墨烯的英國曼徹斯特大學研究職員康斯坦丁·諾沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）曾在接受《日經電子》雜志采訪時表示“有機薄膜太陽能電池是最接近石墨烯實用化的應用之一”。

    在太陽能電池中使用石墨烯作為中間電極的優點是透明且與半導體層的相容性較高。特別是中間電極材料要求同時兼具這兩個性質。具體來說，“與（迄今普遍用做中間電極的）TiO2/PDOT相比，石墨烯電極與半導體層的相容性更好”（日本埼玉大學上野啟司副教授）。

    在這一方面，石墨烯中電子和空穴的載流子遷移率相等這一性質也作出了一定貢獻。以前，中間電極一般重疊使用n型和p型兩種材料。由于石墨烯既有n型又有p型，因此僅需1層石墨烯就能替換原來的材料。