近日一篇〈臺積電真的超越英特爾？大客戶這樣吐槽……〉討論臺積電、三星的技術節點數字恐怕做過美化的問題引起不小的關注，這樣的問題其實在先前即為半導體業界所持續論戰，并在蘋果A9芯片門事件，iPhone6sA9處理器分由臺積電、三星代工時討論來到最高峰，以實際情況而言，臺積電、三星制程技術真的跟英特爾差很大？
半導體三雄納米制程到底在爭什么？
臺積電、三星與英特爾的先進制程競賽打得火熱，在目前14/16納米之后，制程戰一路來到了10納米。這些數字背后的意義其實指的是「線寬」，精確一點而言，就是金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）的閘極長度（GateLength）。
場效電晶體用閘極來控制電流的通過與否，以代表0或1的數位訊號，也是整個結構中最細微、復雜的關鍵，當閘極可以縮小，電晶體體積也能跟著縮小，一來切換速度得以提升，每個芯片能塞入更多電晶體或縮小芯片體積；再者，當閘極長度愈小，閘極下方電子通道愈窄，之間的轉換效率提升、能量的耗損也能降低，收減少耗電量之效，但當閘極太薄，源極與汲極距離愈靠近，電子也可能不小心偷溜過去產生漏電流，加以也有推動力不足的問題，這也是為何制程微縮難度愈來愈高；臺積、英特爾與三星群雄間爭的你死我活的原因。
三者14/16制程節點數字都灌水？
包含半導體芯片和系統還原工程與分析廠商ChipWorks、Techinsights與半導體分析廠商LinleyGroup都對臺積電、三星、英特爾16/14納米做過比較。
從LinleyGroup與Techinsights實際分析的結果，包含英特爾、臺積電與三星在14/16納米實際線寬其實都沒達到其所稱的制程數字，根據兩者的數據，臺積電16納米制程實際測量最小線寬是33納米，16納米FinFETPlus線寬則為30
納米，三星第一代14納米是30納米，14納米FinFET是20納米，英特爾14納米制程在兩家機構測量結果分別為20納米跟24納米。
調研TheLinleyGroup創辦人暨首席分析師LinleyGwennap，在2016年3月接受半導體專業期刊EETimes采訪時，也透露了晶圓代工廠間制程的魔幻數字秘密，Gwennap指出，傳統表示制程節點的測量標準是看閘極長度，但在行銷的努力下，節點名稱不再與實際閘極長度相符合，不過，差距也不會太大，Gwennap即言，三星的14納米約略等于英特爾的20納米。Gwennap認為，臺積電與三星目前的制程節點仍落后于英特爾，以三星而言，14納米制程稱作17納米會較佳，而臺積電16制程其實差不多是19納米。
但美國知名財經部落格TheMotleyFool技術專欄作家AshrafEassa從電子顯微鏡圖來看，認為英特爾、三星甚至臺積電在三者14/16納米制程差距或許不大。AshrafEassa對比英特爾14與22納米，以及三星14納米的電子顯微鏡圖，其指出，英特爾14納米側壁的斜率要比22納米垂直，根據官方的說法，這能使英特爾的散熱鰭片（fin）更高更瘦，以提升效能。
而三星14納米制程電子顯微鏡圖相較起來，和英特爾14納米制程還比較相近，加以AshrafEassa用臺積電宣稱16納米FinFETPlus能比三星最佳的14納米技術在相同功率下，效能能比三星提升10%來推測，臺積電16納米FinFETPlus的晶體管結構應與三星相差不遠，甚至鰭片（fin）會更加細長。
